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铌酸锂基光电器件工艺

可制备基于铌酸锂材料的各种光电器件,如光波导、电光调制器、光频率梳等。通过衬底清洗、光刻图形化、PVD、等离子刻蚀、热退火处理、湿法腐蚀等半导体工艺完成器件的加工。

微纳光学器件工艺

可制备以硅、二氧化碳为主要材料的微纳光学器件,如超构透镜等。通过衬底清洗、光刻图形化或者电子束曝光图形化、等离子刻蚀及划片等工艺完成器件的加工。

化合物半导体材料光电器件工艺

可制备以GaAs/InP/GaN为主要材料的光电激光器、探测器及功率器件,通过衬底清洗、光刻图形化、波导刻蚀、钝化层沉积、电极金属沉积及退火、背面减薄等工艺完成器件的加工。

MEMS器件工艺

本平台具备体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术。通过对硅衬底材料的深刻蚀工艺,可得到较大纵向尺寸可动微结构。通过在硅片或者其他材料上进行氧化硅、氮化硅、多晶硅等多层薄膜等离子沉积工艺来完成MEMS器件的制作。